SK海力士将1c DRAM提升到六层EUV，为High NA EUV应用奠定基础
8月11日消息，据韩国媒体ZDNet报道，SK 海力士在 1c DRAM 制造方面取得重大进展，首次使用了6层EUV光刻，这将使 DDR5 和 HBM 产品的性能和良率更上一层楼，并使该公司成为该领域的领导者。
报道称，10nm级的DRAM已经开始引入了EUV光刻技术，但通常只有很少的关键层数应用，绝大部分依然是DUV光刻。但是，SK海力士在其1c制程DRAM制造上，首次升级到了6层EUV光刻，这将有助于提升产品的性能和良率，使得SK海力士能够推出存储位元更密集、读写速度更快、功耗更低的DDR5内存以及更高容量的HBM堆栈。此前的传闻显示，SK海力士的 1c DRAM 已经实现了 80%-90% 的良率。
虽然，目前SK海力士的1c DRAM尚未应用于任何传统的消费类内存解决方案，但 SK 海力士正在探索各种选择，我们很可能会看到更大容量的 DDR5和HBM。预计SK海力士将会在 1d 和 0a DRAM 等下一代产品上更多的使用EUV光刻，最终将为使用更先进的High NA EUV奠定基础。
编辑：芯智讯-浪客剑
发布于：广东
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