三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
据悉，三星最初计划在去年5月开始生产的HBM4中使用其1b DRAM（10纳米级第五代DRAM），而其现有的HBM3E产品则基于1a DRAM。但最新的消息显示，三星未能通过 英伟达最新 AI GPU（例如 Hopper 和 Blackwell）的资格测试，这也意味着三星仍无法获得英伟达的HBM3E订单，迫使三星考虑采用更先进的 1c DRAM 来打造新一代的HBM4。
爆料称，另一个关键原因是，三星认为1b DRAM其在功耗方面落后于竞争对手SK海力士。因此，三星计划将1c DRAM 用于 12-Hi（12层堆叠）HBM4和16-Hi（16层堆叠）HBM4 产品。三星预计将于2024年底建成第一条1c DRAM量产线，总产能约为每月3000片。最终的 HBM4 产品数据也不应该有太大差异。某些消息来源甚至强调，三星可能会在 2025 年中期提前开始量产，但这尚未得到证实。
目前，三星和 SK 海力士都在竞相提供下一代 HBM4 内存标准，除了都选择1b DRAM制程之外，三星着眼于使用 3D 封装技术和多达 16-Hi 堆栈，以前所未有地增加 VRAM 容量和内存带宽。而SK 海力士则计划与台积电合作为其自己的 HBM4 解决方案采用新的封装技术。
在 2024 年台积电欧洲技术研讨会期间，台积电表示，由于 HBM4 内存从 1024 位接口转向 2048 位接口的复杂性，新的基础芯片将使用 N12 和 N5 工艺节点制造。
台积电设计与技术平台高级总监表示：“我们正在与主要 HBM 内存合作伙伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先进节点上实现 HBM4 全堆栈集成。” “N12 FFC+ 具有成本效益的基础芯片可以达到 HBM 的性能，而 N5 基础芯片可以在 HBM4 速度下以低得多的功耗提供更多逻辑性能。”
“我们与 Cadence、Synopsys 和 Ansys 等 EDA 合作伙伴合作，验证 HBM4 通道信号完整性、IR/EM 和热精度，”台积电代表解释道。
新的基础芯片将利用 CoWoS 技术（例如最近发布的 CoWoS-L 和 CoWoS-R 封装）来制造多达 16-Hi 堆栈的内存产品。除其他关键变化外，它还将利用新的通道信号完整性流程。拥有 5nm 节点将在功耗、性能和密度方面带来优势，因此可以期待明年发布用于下一代 GPU 加速器的下一代 HBM4 内存产品。
编辑：芯智讯-林子
发布于：广东
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