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英特尔3D Foveros封装产能2025年将提升四倍

8月24日消息,英特尔目前在积极投入先进制程研发的同时,在先进封装领域也是火力全开。目前英特尔在马来西亚槟城兴建最新的封装厂,以强化其2.5D/3D封装布局版图,近日更是提出了2025年时,旗下最先进的3D Foveros封装产能将较目前大增四倍,并开放给外部客户单独采用。

外界预期,英特尔结合先进制程与先进封装能量后,一体化制造实力大增,在晶圆代工领域更具竞争力,以便可以更好的与台积电、三星竞争,同时也或将对日月光、安靠等头部的半导体封测厂商带来冲击。

英特尔从2017年开始导入EMIB封装,第一代Foveros封装则于2019年推出,当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake处理器,则将利用第二代Foveros封装技术,凸点间距进一步缩小为36微米。

英特尔并未透露现阶段其3D Foveros封装总产能,仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外,在未来的马来西亚槟城新厂也有相关产能建置,这三个据点的3D封装产能合计将于2025年时增为目前的四倍。

英特尔副总裁Robin Martin 于8月22日接受采访时强调,未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3D Foveros先进封装据点。

英特尔在两年前宣布投资35亿美元扩充新墨西哥州的先进封装产能,至今仍进行中。至于马来西亚槟城新厂,英特尔表示,兴建进度符合计划。根据预计,该新厂可能于2024年稍晚或2025年完工并投入生产。

值得注意的是,除了晶圆代工与一条龙延伸到封装服务,英特尔表示,开放让客户也可以只选用其先进封装方案,目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。

英特尔在执行长基辛格带领下,推行IDM 2.0策略,除了增加自家晶圆厂产能,扩大晶圆代工业务,同时也希望弹性利用第三方的晶圆代工产能。

随着先进制程的持续推进,小芯片(Chiplet)与异质整合的发展趋势明确。外界认为,英特尔的2.5D/3D先进封装布局除了强化自身处理器等产品实力之外,也是其未来对客户争取更多晶圆代工服务生意的一大卖点。

相比之下,台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面,主打“3D Fabric”先进封装,包括InFo、CoWoS与SoIC方案;三星也发展I-cube、X-Cube等封装技术。

编辑:芯智讯-林子

发布于:广东

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