2020年,高通在推出Wear 4100系列芯片之后,目前已有一年多时间没有更新Wear系列智能穿戴芯片了。在竞争愈发激烈的智能手表市场里,面对苹果和三星的竞争,许多需要对外采购智能穿戴芯片的厂商,都迫切希望高通推出新款芯片,以提升产品的性能和续航表现。
最近,外媒Winfuture曝光了高通新款智能穿戴芯片Wear 5100系列,共包括Wear 5100和Wear 5100+两款产品,差异之处在于后者集成QCC5100协处理器,用于提升智能手表在低电量模式下的续航时间。在用户们都关心的制程工艺的选择上,该系列芯片将跨越多个制程工艺节点,直接由上一代的12纳米跳跃至4纳米工艺,紧跟旗舰手机SoC的发展步伐。
对比上一代产品,高通Wear 5100系列在制程工艺上的升级可以用“飞跃”来形容。对于许多希望提升智能手表续航能力的厂商来说,Wear 5100系列的到来或是个不错的新选择。
在智能手表领域,大致有两种不同的产品发展方向,一种着重追求长续航能力,另一种则更重视智能手表的“全智能”体验。造成这一局面的一大因素是芯片,一些厂商即使想同时追求性能和续航,但因芯片算力和功耗的原因使他们没得选,要么选低功耗芯片做轻智能手表,要么选择高通的Wear系列芯片发展全智能手表。
在去年九月份,市面上就有消息称Wear 5100系列将使用A73+A53架构,重点提升芯片的性能上限。不过从最新曝光的信息来看,高通似乎调整了Wear系列芯片的发展策略,有意提升芯片的功耗表现。
高通Wear 5100系列搭载四颗A53核心(最高1.7Ghz),GPU为Adreno702,支持eMMC 5.1闪存和4GB LPDDR 4X内存。与上一代的Wear 4100系列相比,CPU核心规格不变,但Wear 5100系列在GPU和闪存等方面均获得一定幅度的升级。其中,三星4纳米制程工艺无疑是本次升级中的核心,在纸面参数上能够看出,高通并未选择盲目堆参数,而是希望通过更换制程工艺的方式提升芯片的性能并降低功耗,尝试改善全智能手表续航能力弱的问题。
除此之外,小雷还发现Wear 5100系列的一些新特性。在摄像头的支持上,Wear 5100系列支持双摄组合,分别支持最高1300万像素和1600万像素传感器,同时,单摄使用时支持录制1080P画质视频,高通或意在推动智能手表的多元化发展。
与智能手机类似,智能手表的许多新功能和新特性都需要芯片的支持。以智能手表的影像能力为例,面向学生开发的智能手表多搭载前置镜头,Wear 5100系列的到来提升手表视频录制画质的同时,还得以让部分厂商拓展智能手表的玩法,使用前置主摄和超广角的组合。
但也值得注意的是,即使是选择使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列,也难以在根本上提升智能手表的续航水平。早已使用5纳米芯片的三星Galaxy Watch4,正常使用的情况下也只能做到两天一充。
智能手表续航能力的强弱与否,与系统调度有着重要的联系。使用Android和Wear OS等全智能系统的厂商们,若想在追求手表性能的同时提升智能手表续航时间,现阶段只能内置一套完整的低功耗芯片。在小雷看来,使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列让智能手表厂商们有了新选择,不要再使用功耗更高的12纳米甚至28纳米的芯片,便于进一步优化以提升产品的实际续航表现。
在前几年,可能除了苹果和三星以外,其他厂商并未完全在智能穿戴芯片领域里发力。反应到制程工艺的应用上,高通2020年发布的Wear 4100系列和2018年的Wear 3100,分别使用12纳米和28纳米制程工艺,紫光展锐的W307和瑞芯微的RK2108D也都使用28纳米工艺。
厂商们未及时为智能穿戴芯片使用先进制程工艺,主要原因在于上游智能穿戴芯片供应商不想冒险,在未有明确且足够的市场需求前,并不想直接选择成本更高的先进制程工艺。在智能手表的发展初期和中期,手机厂商自己未明确智能手表的产品定位(如推出些不太成熟的产品),也并未完全了解用户的实际需求,致使上游智能穿戴芯片供应方多选择折中方案,或是保持较慢的产品更新节奏。
以OPPO Watch2系列产品为例,既然上游供应链芯片迭代慢、性能和功耗也难以满足新品的设计需求,为同时兼顾性能和续航,只能另辟蹊径使用“1+1”双芯方案,在一块智能手表上使用高通的Wear 4100和主打低功耗的Apollo 4s芯片,让用户根据不同的使用场景切换芯片使用方案。
苹果和三星的优势在于自己既是智能手表领域的玩家,同时又有芯片自研能力,在市场洞察能力和抗风险能力上都要比上游供应链强,使得他们能更快地推出7纳米或5纳米可穿戴芯片。即“产学研销”一体化发展模式的市场反应速度更快,产品的更新迭代不需要看上游芯片厂商的脸色。
智能穿戴芯片行业的内卷,有助于带动整个智能手表产业的正向发展。在2020年发布的Apple Watch S6上,苹果基于A13(7纳米)的两颗小核心为其开发专门的S6芯片,三星也不甘落伍,去年发布的Exynos W920用上自家的5纳米工艺制造。
对比之下,仍在使用12纳米工艺的高通Wear 4100系列在制程工艺上落后了好几代,芯片性能和功耗都不具有优势。那些看着高通发布新款芯片才更新产品的厂商,多只能暂时断更产品,或是发布主打长续航的“轻智能”手表。高通为挽回一众合作方的信心,或只能跨过多个制程工艺节点,在新芯片上使用4纳米制程工艺。
从苹果、三星已发布的芯片,以及高通Wear 5100系列芯片的曝光数据上能够看出,在制程工艺上旗舰级智能穿戴芯片将跟上手机SoC的发展步伐。在小雷看来,无论是智能穿戴芯片还是TWS耳机的计算单元,使用先进制程工艺已是大势所趋,随着产品使用场景和用户需求的改变,刺激着厂商们改用更新进的制程工艺。毕竟,在芯片效能的提升中,60%来自制程工艺的进步、40%来自设计,对于这类“小芯片”来说,使用新制程工艺是提升芯片综合能力的最快路径。
去年国产主流手机厂商加速了自研芯片的发展步伐,发布应用于手机摄影的ISP或NPU,而在智能穿戴领域里,华米发布基于RISC-V架构设计的黄山2S芯片。其实在科技行业里,厂商要想提升产品核心竞争力和溢价,多只能走上芯片自研之路。
相对于手机SoC,智能穿戴芯片的研发难度要低一些,并不需要使用ARM最新版CPU和GPU架构。至于困扰着许多厂商的基带,eSIM版智能手表并不是一项强需求,对于许多用户而言,正常情况下并没有只带智能手表不带手机出门的习惯,厂商大可先开发蓝牙版产品圈住一部分用户。
其次,智能穿戴芯片和手机SoC比较相似,国产厂商得以在设计和发展智能穿戴芯片的过程中积攒经验和专利,由下及上推动自研芯片体系的构建。对于想要在智能手表领域深耕的厂商来说,长远来看只有推出自己的智能穿戴芯片,才有机会在市场份额和利润率上实现对苹果和三星的反超,将产品的迭代权限和核心卖点掌握在自己手里。
从近两年智能手机和手表的芯片迭代状况上能够察觉出,仅依靠上游供应链提供芯片的模式过于被动,要么芯片迟迟不更新,要么芯片存在这样那样的问题,无法支撑起旗下产品的高端化发展。
当然,对比功能相对单一的ISP,智能穿戴芯片的内部结构更复杂,牵扯到不同的芯片设计领域,甚至是为了提升芯片的集成度还需使用SiP封装工艺,对于不少国产主流厂商来说在这方面并没有足够的经验。苹果和三星之所能推出性能优异的智能可穿戴芯片,主要得益于他们在手机SoC领域的技术积累。小雷也相信,许多科技领域内的国产厂商终会走上自研芯片的道路,伴随着市场竞争的加剧,能继续存活的厂商多半拥有一定的芯片设计能力。
本文来自微信公众号 “雷科技”(ID:leitech),作者:半个月亮,36氪经授权发布。
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