最前线 | 英特尔将7nm改名为Intel 4，抛弃「纳米」拥抱「埃米」，高通AWS成代工客户
北京时间凌晨5点，英特尔新任CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布，随着芯片制程越来越逼近1nm，英特尔将开启一套全新的命名系统，不再以纳米（nm）命名，而是以Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A等进行命名。
其中，Intel 7是英特尔此前的10nm Enhanced SuperFin技术、Intel 4是英特尔此前的7nm技术、Intel 3则是更新一代的技术。
英特尔中国研究院院长宋继强告诉36氪，因为当前业内各家采用了不同的命名方法，因此很难将Intel 3与目前市面上其他企业采用的5nm、3nm命名方式进行直接对比。用户可以根据产品性能、晶体管密度等参数进行横向对比。
此外，英特尔还宣布了几项其他进展：
1、正在生产的英特尔10nm晶圆数量，已远超同期生产的14nm晶圆数量。
2、宣布两项埃米时代的突破性制程技术：英特尔近十多年来推出的首个全新晶体管架构RibbonFET，以及业界首个背面电能传输网络PowerVia。
3、AWS亚马逊云将成为首个采用英特尔代工服务（IFS）先进封装解决方案的客户，高通将成为首个采用Intel 20A先进制程工艺的客户。
英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger），图源：英特尔
业内对芯片制程节点所描述的「x纳米」最初指的是芯片晶体管的实际栅极长度，数字越小，栅极长度越短，同样面积的芯片上就能容纳更多的晶体管，性能就会随之提高。
不过基辛格表示，从1997年开始，晶体管的运算速度、价格、能效比等其他非体积因素也开始在芯片系统中扮演了重要影响因素。此时传统的「x纳米」命名方式开始与晶体管实际栅极长度不再匹配。
而自从2011年英特尔推出FinFET技术之后，业内几乎完全放弃了栅极长度的命名系统，各家企业用上了自己的技术路径，从而有时会出现A家的12nm性能比B家的10nm性能更强的现象。
基辛格表示，随着当前芯片技术节点不断逼近1nm的极限，英特尔基于性能、功耗、面积关键技术参数，重新设计了自家芯片制程的命名系统。
英特尔新制程节点命名，图源：英特尔
具体来说，英特尔此前的10nm Enhanced SuperFin将改名为Intel 7；英特尔此前的7nm将改名为Intel 4；
与上一代相比，Intel 4的每瓦性能提高了约20% ，并将是英特尔首个完全采用EUV光刻技术的FinFET技术节点。Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。
而英特尔7nm之后的技术节点被命名为Intel 3；
较之Intel 4，Intel 3将在每瓦性能上实现约18%的提升，实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈。Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品。
而在Intel 3之后的下一个技术节点，英特尔将其命名为Intel 20A。这里的A值的是「埃米」，一个晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位，它的长度是纳米的十分之一。Intel 20A预计将在2024年推出。
英特尔表示，这一命名反映了向新时代的过渡，即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代——半导体的埃米时代。
针对英特尔先进制程工艺的推出节奏，英特尔中国研究院院长宋继强告诉36氪，根据当前英特尔工厂里的测试、实验、生产验证数据反馈，目前英特尔对先进工艺生产制造的时间预期非常有信心，会严格按照这一技术路径来执行。
上文提到的英特尔推出的首个全新晶体管架构RibbonFET，以及业界首个背面电能传输网络PowerVia是埃米时代的两项关键技术。
RibbonFET与FinFET，图源：英特尔
RibbonFET是英特尔研发的Gate All Around晶体管，是公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。PowerVia能够消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。
英特尔还表示，比20A更先进的18A工艺节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进。
此外，英特尔正与ASML密切合作，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，超越当前一代EUV技术。
在客户方面，英特尔宣布，AWS亚马逊云将成为首个采用英特尔代工服务（IFS）先进封装解决方案的客户，高通将成为采用Intel 20A先进制程工艺的客户。
帕特·基辛格说，“对于未来十年走向超越’1纳米’节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。我想说，在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效。”
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