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HBM4时代来了，内存芯片升温

晰数塔互联网快讯
2025-09-20 10:04

来源：半导体产业纵横

SK 海力士率先破局。

近日，SK 海力士宣布在全球率先建立第六代高带宽存储器（HBM4）量产体系，这一消息标志着下一代存储器芯片新一轮技术竞赛正式拉开帷幕。

作为高带宽存储器领域的重要进展，HBM4 的出现是为了满足人工智能数据中心日益增长的性能需求。人工智能工作负载对于数据处理速度和内存带宽有着极高要求，传统内存技术在面对这些复杂任务时逐渐力不从心，HBM4 的诞生可谓恰逢其时。它通过垂直连接多个 DRAM 芯片，显著提升了数据处理速度，成为推动 AI 技术进一步发展的关键因素。

据报道，SK 海力士的国内主要竞争对手三星电子也已完成 HBM4 的内部开发，正紧锣密鼓地准备投入生产。两家韩国科技巨头均已向英伟达发送了样品，而英伟达计划在其定于 2026 年发布的下一代 “Rubin” AI 加速器中采用 HBM4。这一系列动作表明，HBM4 在 AI 领域的应用前景广阔，各大厂商都希望借此抢占市场先机。随着 HBM4 量产时间的日益临近，韩国媒体将目光聚焦在三大焦点问题上：SK 海力士与三星的战略分歧、新设备供应商的崛起，以及竞争对手的快速追赶态势。

三星的“创新” vs. SK 海力士的 “稳定”

在人工智能数据中心对性能要求呈指数级增长的背景下，内存设计和制造被推向了更为复杂的技术领域。业界此前曾普遍猜测，HBM4 的生产或许需要全新的混合键合技术，以实现更高的性能和集成度。然而，SK 海力士却选择了一条更为稳健的路径，采用其成熟的 MR - MUF 技术的增强版本。

MR - MUF 技术的核心在于，在层间注入并固化液体保护材料，以此改善散热效果，并在 DRAM 堆叠过程中最大程度减少翘曲现象，这一技术长期以来都是 SK 海力士提升 HBM 性能的重要手段。此次应用于 HBM4 的制造，SK 海力士的 HBM4 采用在 10nm 节点制造的 1b DRAM（第五代）构建，而基础芯片则由台积电运用其 12nm 工艺制造。这种组合方式在保证技术稳定性的同时，能够充分利用现有成熟技术的优势，快速实现量产。

与之形成鲜明对比的是，三星采取了更为激进的创新策略。三星在更为先进的节点上使用1c DRAM（第六代），并利用自家的 4nm 代工工艺内部制造基础芯片。从理论上讲，这种做法有望大幅提升产品性能，但同时也伴随着更高的风险和技术复杂性。先进节点的技术虽然潜力巨大，但在实际生产过程中，可能面临诸如良率难以提升、成本过高等问题。

简而言之，当前HBM 市场的领导者 SK 海力士，正通过强调可靠性和可扩展性，巩固其市场地位；而挑战者三星则押注于技术差异化，试图凭借创新重新夺回市场份额。这两种截然不同的战略选择，反映出两家公司对于市场趋势和自身优势的不同判断，也为 HBM4 市场的竞争增添了更多不确定性。

新玩家涌现

SK 海力士与三星在技术路线上的分歧，不仅体现在芯片制造环节，也在设备供应商领域引发了连锁反应。在 HBM 键合设备领域，韩美半导体长期占据领先地位。近期，韩美半导体在 SEMICON Taiwan 2025 展会上展示了一款升级版热压键合机（TC Bonder）。这款设备针对 HBM4 的生产需求进行了优化，有望提高生产效率和产品质量。然而，其混合键合系统的推出时间却相对滞后，预计要到 2027 年底才能面市。

与此同时，新兴企业韩华半导体公司却展现出了惊人的进取姿态，宣称最早将于2026 年推出自己的混合键合系统。如果韩华半导体能够如期实现这一目标，无疑将对现有的 HBM 键合设备市场格局产生巨大冲击。混合键合技术作为下一代先进封装的关键技术之一，对于提高芯片集成度和性能具有重要意义。韩华半导体的介入，将使得该领域的竞争更加激烈，也为芯片制造商提供了更多选择。

其他地区加速追赶

尽管全球HBM 市场的焦点主要集中在 “三巨头”——SK 海力士、三星和美光身上，但不容忽视的是，中国在该领域正以惊人的速度追赶。

在江苏举办的第十三届半导体设备、核心部件及材料展览会（CSEAC 2025）上，这种追赶的决心和实力得到了充分体现。参展商不仅展示了 3D DRAM 概念，还推出了用于 HBM 封装的实际热粘合设备。这一系列展示清晰地表明了中国正在通过不断投入研发和技术创新，逐步缩小与国际领先水平的差距。

从技术发展的角度来看，业内普遍估计，中国与韩国在先进DRAM 技术方面的差距已缩小至仅两到三年。这一快速追赶的态势，得益于在半导体产业的大规模投入，包括建设先进的研发中心、培养专业的技术人才以及完善产业链配套等。随着技术差距的不断缩小，中国的半导体企业有望在全球 HBM 市场中占据更重要的地位，对现有市场格局产生深远影响。

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