SK海力士已完成HBM3e开发，预计将于今年3月量产
2月21日消息，据外媒Moneytoday报道，韩国存储芯片大厂SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作，并且顺利完成了英伟达（NVIDIA）历时半年的性能评价，计划于今年3月开始大规模生产HBM3E，并在4月针对英伟达供应首批产品。
报道称，由于半导体产品的开发分为Phases 1-9等九个阶段，目前SK海力士已完成所有阶段的开发，并进入最后的增产（ramp-up）阶段，这也代表着从现在起生产的所有HBM3E都可以交付给辉达。
除了SK海力士外，其竞争对手三星电子和美光也向英伟达提供了HBM3E样品，但它们要到3月份才会开始最终的产品品质认证测试，以确保产品能够达到出货质量要求，而这时间点相较SK海力士比至少晚了两个月的时间。
报道进一步指出，这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季末或第三季初推出该系列产品。由于英伟达已经在AI GPU市场中占有超过90%以上市占率。而在HBM市场，SK海力士则是有全球HBM市场一半以上的市占率，更是100%垄断了128GB DDR5这类大容量DRAM产品市场。因此，SK海力士与英伟达间的合作，市场看好将推升AI芯片的市场发展。
编辑：芯智讯-林子
发布于：广东
相关推荐
SK海力士已完成HBM3e开发，预计将于今年3月量产
SK海力士HBM3e样品已供应NVIDIA，预计明上半年量产
SK 海力士开发出全球最高规格 HBM3E 内存，用于 AI 行业
SK 海力士：计划在 2026 年前量产 HBM4 内存
SK 海力士计划 2024 年启动 HBM4 研发、加速 CXL 内存商业化量产
SK海力士计划2024年启动HBM4研发、加速CXL内存商业化量产
扩大和三星、SK 海力士合作，英特尔在韩国首尔设立高端研究机构
SK海力士宣布量产238层NAND Flash！
HBM成“印钞机” SK海力士Q4超预期扭亏 行业资本开支步入上行期
SK 海力士预计今年 HBM 芯片出货量达 50 万颗，2030 年达 1 亿颗
网址: SK海力士已完成HBM3e开发，预计将于今年3月量产 http://m.xishuta.com/newsview109148.html
