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3纳米,竞争激烈

2024年伊始,三星3纳米争取高通下单卷土重来,与台积电(2330)的抢单大战更激烈。业界传出,三星积极提升下世代3纳米制程良率,并祭出优惠价争取高通订单,力图打破高通下世代5G旗舰芯片可能由台积电独家代工的局面。

供应链人士透露,面对三星积极示好,高通内部持续评估今、明年新产品持续采用台积电、三星「双重晶圆代工伙伴」策略,以降低成本,但未获高通证实。

对于3纳米订单竞争议题,台积电不评论单一客户与业务。

不过,三星近期在国际投资人会议上仍暗示不放弃3纳米(SF3与SF3P)制程与非苹手机芯片业者的合作,并正积极提高3纳米良率,争取高通订单。

外界之前传出,高通下世代5G旗舰芯片骁龙8 Gen 4有望由台积电3纳米独家操刀,惟熟知高通生态的业界人士透露,从管理成本角度,高通一向乐于选择采用两家晶圆代工来源的策略。

研调机构以赛亚调研(Isaiah Research)则分析,高通在晶圆代工来源一向采取双供应源(dual source)策略,旨在分散风险并有效管理供应链。

就2024年高通骁龙芯片代工订单分布,以赛亚调研认为,今年的高通骁龙8 Gen 4是否会在三星3纳米下单量产,取决于三星3纳米在2024年9月的良率状况。

由于距离9月还有一段时间,以赛亚调研认为,若三星的3纳米良率提升状况良好,最快有望在第4季将高通骁龙8 Gen 4导入风险性生产阶段,因此初期产量不会太高,最快2025年放量,但「现在一切都很难说」。

回顾过往,高通骁龙8 Gen 1芯片曾由三星独家代工,后续传出高通考量生产稳定与规模,2022年将骁龙8 Gen 1升级版骁龙8 Gen 1 Plus转由台积电独家操刀,并从这一代产品起,一路与台积电合作至后续第三代芯片(骁龙8 Gen 3),导致市场出现三星旗舰手机采用的高通骁龙芯片都由台积电生产的特殊情况。

业界预期,高通若2024年重新导入双重晶圆代工伙伴,相关策略将延续到2025年至2026年,预期台积电与三星先进制程有望同时支援高通。

三星力图打破台积电可能独家代工高通下世代5G旗舰芯片骁龙8 Gen 4的局面,业界分析,三星除了可能祭出优惠价争取高通订单之外,其最大的优势,在于身为全球最大手机品牌,能提供客户稳定的出海口,成为吸引高通下单的另一关键筹码。

有别台积电3纳米持续采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,三星率先转进采用环绕式闸极(GAA)架构,虽然如今毁誉参半,但有业界消息传出,三星3纳米GAA最初产能超过半数已先供应自家芯片使用,初期能承接委外代工订单量有限。

即便如此,三星仍持续扩大3纳米制程量能,借此拓展晶圆代工业务。三星先前曾指出,该公司在2022年中旬量产首代3纳米SF3E(又称3GAE)制程后,预计第二代3纳米SF3(3GAP)制程会在2023量产并于2024年导入市场,并规划2025年推出增强版3GAP+,瞄准5G芯片与高速运算(HPC)领域。

发布于:上海

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