格科微临港12吋CIS晶圆厂投产，完成从Fabless到Fab-Lite战略转型
12月22日上午，国产CMOS图像传感器厂商格科微在上海临港成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式及2023年产品推介会暨CEO交流会。这也标志着格科微完成了从Fabless (无晶圆厂)向Fab-Lite(轻晶圆厂) 的转型。
所谓的Fab-Lite模式，即介于Fabless模式与IDM（垂直整合制造）模式之间的经营模式，在晶圆制造、封装及测试环节采用自行建厂和委外加工相结合的方式。
格科微董事长兼首席执行官赵立新表示，公司自2003年创立以来，一直致力于在中国这片热土上推动改变世界的创新，为了突破高端图像传感器工艺的知识产权垄断和制造壁垒，公司决定自建工厂。历经三年，在政府领导的大力支持和协助下，临港工厂终于成功落地，12英寸CIS集成电路特色工艺产线顺利开通，公司成功转型为Fab-lite模式。未来，临港工厂将聚焦前瞻性和突破性的创新，专注创新工艺的研发和生产具有特色的定制化产品，致力于更好地满足客户需求。同时，公司将以上海为基础，辐射长三角地区，积极参与半导体产业建设和投资，与上下游合作伙伴携手精诚合作，共同进步。
资料显示，2020年3月，格科微就与上海自贸区临港新片区管委会签订合作协议，拟在新片区投资建设“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”。该项目总投资预计达22亿美元，已于2020年中启动。2021年8月16日，格科微12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目正式封顶。2022年3月24日，格科微临港工厂举办ASML先进ArF光刻机搬入仪式；2022年9月，格科微12英寸CIS投片成功，首个晶圆工程批取得超过95%的良率；2023年第二季度，格科微12英寸CIS首批产能正式量产，一期规划月产能2万片。
根据规划，临港项目新增产能主要用于生产中高阶CIS产品，是在现有业务的基础上对产品线的完善与补充。同时，临港项目还有助于实现格科微在芯片设计端和制造端的资源整合，提升在背照式图像传感器领域的设计和工艺水平，加快研发成果产业化的速度，增强企业的核心竞争力，为格科微提高市场份额、扩大领先优势奠定发展基础。
在当天下午的产品分享会上，格科微各业务线领导分别介绍了公司手机CIS产品线、数码CIS产品线以及显示驱动产品线的最新动态，带来了三款全新高像素产品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。
其中，GC32E2是公司此前发布的GC32E1“升级版”，在单芯片高像素技术平台上搭载DAG HDR技术和AON低功耗技术，支持前摄相位自动对焦，也定位于主流旗舰手机前后摄；GC50E0，是公司推出的第一颗5000万像素产品，也是市场上首颗单芯片5000万像素产品；在推出0.7 μm的GC50E0的同时，格科微重磅推出1.0 μm大底的5000万像素产品—GC50B2，同样在单芯片基础上搭载专利DAG HDR技术，适用于中高端智能手机主摄。这三款产品的发布体现了公司研发的能力与效率，极大拓宽公司在高像素产品领域的市场空间。
赵立新在产品分享会上表示，公司在16M像素以下产品领域已经具有市场领先地位，并且此前推出的单芯片高像素产品 GC32E1赢得了客户的高度认可，而此次推出的三款单芯片高像素产品将助力公司进一步拓展中高端市场。
赵立新还表示，当前公司正迎来成立二十年来的最佳经营局面，Fabless向Fab-lite转型的战略目标已成功实现，未来格科微将以此为基础，努力实现新战略，暨紧扣客户需求，推动核心技术产品化，跨越30亿美元收入台阶。
编辑：芯智讯-林子
发布于：广东
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