……了吗?
当地时间10月9日,韩国总统办公室通报,美国商务部已经同意向三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂提供“无限期豁免”,即美国供应商无需任何许可,就可向三星和SK在中国的晶圆厂供应半导体设备。
这无疑是给韩国企业半导体业务在华市场续了一口气,堪称“雪中送炭”。
随着此次两家企业在华工厂成功获得“无限期豁免”,也意味着未来三星、SK海力士在华工厂将可以继续升级和扩产,原有的不确定性被大大消除。
有相关业内人士表示,此举势必会让三星和SK海力士加大产能,而为了重新抢夺市场,双方可能会进一步在中国市场开打价格战。
然而,分析目前半导体行业,尤其是两家都有的存储芯片业务的现状,不难发现,这个“炭”“送”晚了。
存储市场长期大跌,明年还将供应短缺
存储芯片历来是韩国半导体产业的支柱,三星和SK海力士两家都是存储业巨头,其中三星电子在DRAM和NAND领域的市占率都位居第一,SK海力士在DRAM领域排名第二,在NAND领域排名第三。
(图源:SK海力士)根据世界半导体市场统计(WSTS),2022年全球存储器市场规模为1298亿美元,其中DRAM占778亿美元,NAND Flash占471亿美元。作为行业的龙头,说这两家分走了其中绝大部分也不为过。
DRAM和NAND闪存的主要应用场景都是PC、智能手机和数据中心,用户非常相似。而因为“硅周期”的行业下行趋势,加之国内厂商的快速扩产替代(后面会提到)。上述这些市场的需求持续萎缩,截至目前,存储市场下行周期已经连跌8个季度,接近存储市场下行周期历史最长时间。
两家韩国企业的日子自然也不好过。
根据数据显示,2023年前两个月,三星的存储芯片业务就已经亏损了3万亿韩元,约合23亿美元。对三星来说,还不算伤筋动骨,毕竟有半导体代工等一系列其他业务。
但“只把鸡蛋放在一个篮子里”的SK海力士就相对难受了。虽然由于HBM3产品在人工智能加速卡领域吃下了过半份额,但整体存储芯片业务的亏损可谓巨大。
(图源:SK海力士)根据7月底SK海力士公布的2023年Q2财报显示,第二季度营收为7.3059万亿韩元,同比下滑47%;营业亏损额达2.8821万亿韩元,虽然已经比上一季度好了15%,但同比依旧是亏;净亏损额达2.9879万亿韩元,环比下滑16%。
伴随亏损而来的,是各家的大幅减产。
SK海力士财报显示,自2023上半年以来,多数存储芯片制造商都已经相继减产,以求尽快去库存。现阶段,NAND Flash的库存去化速度相比DRAM更慢,因此SK海力士还会扩大对于NAND Flash的减产幅度。
三星这边则启动了2024年大规模半导体需求调查,分析了主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产,在调查后表示,预计从Q4开始,市场供需就会改善,明年可能出现供应短缺,价格上涨。
美国出口限制“误伤”韩国半导体
美国近年持续限制国内半导体产业发展,先是收紧芯片贸易政策,又提出了设备出口限制等等。
而一系列限制举措之下,反而伤到了日韩半导体产业。
早在2005年,SK海力士DRAM产线就落户无锡,此后多轮增资,累计投资额超200亿美元。据市场调研机构TrendForce集邦咨询2022年的报告,该工厂产能约占全球DRAM总产能的13%;SK海力士在2020年还购得了英特尔包括大连工厂在内的NAND业务,并将于2025年完成全部交割,该厂产能约占全球NAND总产能的9%。
而三星则选择了西安,一期二期工厂项目自2012年开始建设,累计投入近260亿美元。据悉,西安工厂在三星全球NAND总产能中占比约四成,约占全球NAND总产能的17%。
在供给限制下的工厂产能降低,不仅让两家公司的产品技术优势缩小,还损失了在华的庞大市场和利润。
另一方面,国内厂商的国产替代方案正在加速落地。
此前,国外行业研究机构yolegroup对长江存储的232层闪存颗粒进行了拆解分析。他们发现,长江存储的颗粒采用了双层设计,即通过Xtacking技术,将双层晶圆叠放在一起。这样做虽然有良率低、成本高的问题,但却绕过了对被限制的先进工艺、工具的依赖。
(图源:yolegroup)这种以“过时的”工艺技术实现另辟蹊径方案的逻辑,被yolegroup誉为“意想不到的技术突破”。
在这样的突破之下,一味封锁自然意义不大。因而才有了开头提到的“无限期豁免”。只是在国产替代已经成型的现在,这块“炭”送得还是有些晚了。
写在最后
存储芯片行业素来有一个有趣的梗:每当出现产能过剩,存储产品价格下降的趋势时,各家厂商总会出现“产线停电”、“工厂失火”这样的意外情况,从而“被迫减产”。
(图源:快科技
)
但自打国产品牌的存储、主控芯片推出以来,就很少再出现类似的新闻了。长江存储因而被赋予了“长江消防”的美称。
本文作者:Visssom,观点仅代表个人,题图源:pixabay
发布于:江苏
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