华为申请一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备专利，提升MOSFET晶体管的可靠性
本文源自:金融界
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备”的专利，公开号CN120166765A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种MOSFET芯片、晶体管、电源和电子设备，该MOSFET芯片包括栅极焊盘、至少两条栅极总线和至少两个原胞区域，至少两个原胞区域中的每个原胞区域包括至少一个原胞单元。至少两条栅极总线中的每条栅极总线与至少两个原胞区域中不同的原胞区域连接，栅极焊盘与至少两条栅极总线连接。栅极焊盘用于通过至少两条栅极总线驱动至少一个原胞单元启动，至少两个原胞区域中存在至少一个原胞区域的启动时间点不相同，由此将MOSFET芯片中的原胞划分出不同的区域，且不同的区域启动时间点不相同，通过分时启动避免间距小的原胞在缓启动阶段发生热聚集现象，提升MOSFET晶体管的可靠性。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1508个。
发布于：北京
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