三星2nm，抢了台积电一个老客户
全球最大的存储芯片制造商三星电子公司赢得了日本领先公司 Preferred Networks Inc. (PFN) 的首个 2 纳米节点人工智能芯片生产合同，在竞争中大胜台积电 (TSMC) 先进的芯片加工技术。
消息人士周五表示，根据协议，总部位于韩国水原的三星将利用其最新的2纳米芯片处理技术用于PFN生产人工智能加速器和其他人工智能芯片。
一位知情人士表示，PFN自2016年以来一直与台积电合作，但决定在三星的 2 纳米节点上生产下一代 AI 芯片。
贸易交易对双方都有利，PFN 可获得更新的芯片技术，这将在竞争中获得优势，而三星则说明消息人士称，最先进的芯片技术赢得了实际客户，在与台积电的代工市场争夺战中取得了进展。
PFN成立于2014年，因在人工智能深度学习开发方面的专业知识而闻名，吸引了丰田汽车、NTT和日本机器人系统制造商等科大公司的大规模投资。
消息人士称，PFN 决定放弃台积电，因为三星提供从芯片设计到生产以及先进芯片封装的全面芯片制造服务。
三星官员拒绝证实其与 PFN 的交易。
交易为更多 2 nm 客户打开了大门
分析师表示，虽然台积电目前拥有超过2纳米客户，但三星PFN转向可能会对三星有利的逆转，为更多大客户与这家韩国芯片制造商站在一边打开了大门。
台积电是代工芯片制造领域的领导者，从苹果公司和高通公司等无晶圆厂芯片设计公司手中抢走了大部分业务。
随着对高性能芯片的需求不断上升，技术进步的竞争非常激烈，尤其是台积电和三星之间。
这家台湾芯片制造商领先于三星，向苹果和英伟达等客户提供采用其2纳米技术制造的台积电的目标是在 2025 年开始大规模生产采用 2 nm 技术的芯片。
三星还表示，将在 2025 年开始大规模生产用于移动应用的 2 nm 工艺，然后在未来几年划分其他用途。
三星表示，将于2026年将先进的2纳米技术评估超级计算机和计算机集群的高性能计算(HPC)芯片，然后于2027年评估汽车芯片。
三星计划到2027年开始大规模生产更先进的1.4纳米芯片。
芯片制造工艺贴有一个数字尺寸标签，粗略地表示可以封装在芯片上的晶体管的电路的厚度。数字越低，技术越先进。
三星的生产技术基于GAA晶体管架构 的微处理工艺，而台积电则在鳍式场效应晶体管(FinFET)结构中使用不同的技术。
“从2纳米节点开始，代工龙头也将采用GAA技术。将在未来五年内用我们的技术超越台积电，”负责半导体监管的三星设备解决方案部门负责人 Kyung Kye-hyun 去年在韩国的一个论坛上表示。
三星力争在2纳米技术上超越台积电
三星电子与台湾的台积电和美国的英特尔正在加速竞争，推出先进的2纳米工艺技术，以期在全球晶圆代工市场占据领先地位。OpenAI 的首席执行官 Sam Altman 推动了这三家公司之间的竞争，他也是生成式 AI 聊天机器人 ChatGPT 的开发者。这些公司宣布在AI半导体技术上独立，并筹集930万亿韩元的投资，竞相成为奥特曼的代工合作伙伴。
焦点在于，全球晶圆代工市场排名第二的三星电子是否会超越台积电，夺得2纳米竞争第一的宝座，或者率先获得新一代光刻设备“High-NA荷兰公司 ASML 的极紫外光 (EUV) 将成为新的动力源。
市场研究公司Omdia 2月14日预测，今年全球晶圆代工市场规模预计将达到1264亿美元，到2026年年均增长13.8%，达到1538.3亿美元。预计这种快速增长将由 5 纳米以下的最先进工艺推动。5纳米以下工艺的销售额去年占总销售额的24.8%，预计到2026年将飙升至41.2%。
三星电子在 3 纳米和 2 纳米环栅 (GAA) 技术的开发方面处于领先地位，并计划利用先进的工艺技术扩展其业务。GAA技术围绕沟道的三个侧面，与传统FinFET结构相比增加了栅极面积，克服了因工艺小型化而导致的晶体管性能下降，提高了数据处理速度和功耗效率。
三星正在继续稳定3纳米GAA工艺的量产，并加速2纳米工艺的开发。台积电计划首次在其2纳米工艺中引入GAA技术。业界猜测，三星比台积电更早采用GAA技术，可能会在2纳米竞争中占据上风。
英特尔将于 2 月 22 日举办代工论坛，届时将宣布其业务的详细方向，微软首席执行官萨蒂亚·纳德拉 (Satya Nadella) 和萨姆·奥尔特曼 (Sam Altman) 也预计将出席。英特尔计划在今年上半年开始生产其基于 GAA 技术、相当于 2 纳米节点的 20 埃 (A) 工艺。英特尔去年收到了ASML的下一代光刻设备，并计划将其应用于2纳米工艺，使用20 A工艺生产其中央处理器（CPU）产品，并在2025年向代工厂提供18 A工艺进行量产。然而，业界普遍预测，由于下一代光刻设备的初始版本，英特尔可能在遵守时间表方面面临挑战。
发布于：上海
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