存储芯片涨价潮席卷，三星、美光等巨头计划15%-20%提价
2024年1月4日消息，存储器行业正在迎来一场涨价潮。据报道，三星电子、美光等存储器巨头正酝酿在今年第一季度将DRAM价格提高15%-20%，计划从1月份开始执行。这一消息已经得到了部分厂商的证实，其中一些厂商透露已经收到了三星的涨价预告。
分析人士认为，此次涨价的主要原因是上游原厂试图通过提价来改善营运亏损。值得关注的是，涨价的焦点从NAND将转移到DRAM上。预计DDR4和DDR5将成为下一波涨价的关键对象，而DDR3的产能和需求相对稳定，预计涨幅较为平缓。
随着上游原厂酝酿提价，多家存储器模块业者已经开始备货，预计供货给OEM厂的合约价将延后一个季度跟进，这也就意味着，从二季度开始，DRAM的全面涨价将会全面反映在市场中。
存储芯片市场的主导地位主要由DRAM和NAND Flash所占据。此前，NAND Flash的价格从2023年下半年开始一路上涨，而DRAM的报价涨幅相对较少。根据数据显示，截至2023年12月，DRAM的报价仅微幅上涨了2%-3%，相比之下，3D TLC NAND的涨幅高达约10%。
在供给方面，业界指出，无论是DRAM还是NAND，2023年Q4上游供货状况并不紧缺。然而，随着原厂酝酿提价，未来市场走势仍存在一定的不确定性。
这场涨价潮对整个存储器行业都将带来影响。对于OEM厂商而言，DRAM价格的上涨将直接影响到他们的生产成本。为了维持利润空间，这些厂商可能需要在产品设计和生产过程中寻求更高效的解决方案，或者通过与供应商协商，寻求降低其他材料成本的可能性，以缓解压力。
从行业周期的角度来看，随着大型厂商控制存储供需，存储市场逐渐改善。自2023年Q3起，主流存储价格持续回升，并在Q4时带动利基存储价格触底回升。据中信证券预测，2024年主流DRAM价格有望持续回升，但市场观望气氛仍然存在，前两个季度的市场表现将是关键因素。若主要应用出海口需求顺利衔接，存储器前景才会相对明朗。
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发布于：上海
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