继三星之后，传美光也将对NAND晶圆涨价10%！
9月5日，天风国际分析师郭明錤发文称，继三星在8月份涨价后，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。
郭明錤分析称，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24开始受益于三个趋势，包括英特尔新平台Meteor Lake加速DDR5渗透率增长、AI服务器强劲需求推升HBM出货，以及品牌与处理器厂在设备上推广LLM有利于DDR/LPDDR规格升级。
摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。
今年8月初，业内就传出消息称，三星已通知客户，打算将512Gb NAND Flash晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。并有两大厂商私下证实，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”。
随后在8月17日，Digitime爆料称，国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。
9月3日，市场研究机构TrendForce发布报告指出，近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动，部分品项出现较积极询价需求。近日，日系外资也发布报告称，DRAM 受 AI服务器需求带动，库存水平下滑而价格上涨，NAND Flash价格已经低于供应商现金成本，未来价格下降幅度有限，预计 7-9 月维持稳定，10-12 月份开始回升。
而存储芯片市场的企稳，主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称，三星已制定生产计划，目标年底NAND Flash库存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND Flash库存周转天数超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示，三星最初的减产幅度为25%，第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产，这也自然将加速存储市场的触底反弹。
至于模组厂，由于NAND Flash晶圆涨价已带来成本提升压力，模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿（Kingston）、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。
金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。
另外，据台媒8月31日消息，近1个月来，NAND Flash现货价格持续小幅调升，单月涨幅约达5%，逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒，由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现，是否有实际终端订单支撑仍待观察。
近期，康佳集团旗下存储企业——康盈半导体创始人兼CEO冯若昊在接受芯智讯采访时也表示，近期上游NAND Flash原厂确实在涨价，涨幅大概在10%左右，但是对于模组厂来说，想配合，但是客户端并不一定会接受，所以客户都还是在观望。但是随着上游原厂持续减产，以及一些需求的缓慢恢复，四季度随着供应持续减少，客户库存消耗加速，会达到供需平衡或者供应偏紧张的情况，从而带动整体市场对于涨价的接受。
编辑：芯智讯-林子
发布于：广东
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