晶圆代工先进制程新进展
近期，英特尔执行长基辛格表示，英特尔可如期达成4年推进5世代制程技术的目标。Intel 7制程技术已大量生产，Intel 4制程也已经量产，Intel 3制程准备开始量产，Intel 20A制程将如期于2024年量产，Intel 18A制程将是5世代制程目标的终极制程，已确定相关设计规则。
在AI、高性能计算等新兴技术驱动下，晶圆代工产业先进制程重要性日益凸显，吸引台积电、三星、英特尔积极布局。
台积电方面，该公司N3X、2nm工艺计划2025年进入量产阶段。台积电介绍，公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，相较于N3E ，该工艺在相同功耗下，速度最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同时芯片密度增加大于15% 。
三星方面，该公司已量产第二代3nm芯片，并计划2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程。今年10月媒体报道三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露，已开始跟大型芯片客户接洽，准备提供1.4nm及2nm制程的服务。晶圆代工客户大约需要3年才能做出最终购买决定。三星正在跟大客户接洽，可能在未来几年展现成果。
Samsung Foundry科技长Jeong Ki-tae表示，GAA制程是一种可以延续到未来的技术，鳍式场效电晶体（FinFET）制程则无法更加精进，公司已在跟大客户讨论2nm、1.4nm等未来制程。
发布于：台湾
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