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三星和SK海力士正在合作研发12纳米内存,16GB DDR5内存功耗降低了23%

随着模型训练任务的增多,HBM和DDR5等内存在高性能计算中的重要性日益凸显,然而,内存的功耗问题也日益突出。为此,三星电子和SK海力士等内存制造商正在与学术界合作,投资研发下一代技术以降低功耗,提升高性能计算的效率。 据了解,DRAM目前在基于英伟达A100的数据中心平台总功耗中占据40%,而随着层数的增加,HBM的功耗也会相应增加。首尔国立大学此前推出的DRAM Translation Layer技术,声称可以将DRAM的功耗降低31.6%,这引起了三星的关注。 目前,三星正在与首尔国立大学合作,以进一步降低内存功耗。他们基于Compute Express Link技术,开发了采用12纳米工艺的16GB DDR5 DRAM,与上一代产品相比,功耗降低了23%。 另一方面,SK海力士推出了LPDDR5X,将High-K金属栅(HKMG)工艺应用于移动DRAM。High-K材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约五倍,可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷,并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流,SK海力士的LPDDR5X速度提高了33%,功耗比上一代产品降低了20%以上。 随着模型训练任务对内存厂商提出进一步的技术更新要求,厂商们也在展开竞争,这将有助于降低内存成本,消费者也将从中受益。

发布于:北京

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