IT之家 5 月 3 日消息,三星先前因芯片良率问题一直被业界诟病,但据韩国每日经济新闻英文版网站 The Pulse 报道,近期三星称,其 4 纳米芯片制程良率已改善、接近 5 纳米的水准,下一代 4 纳米制程将提供更高的良率。
三星电子去年推出了 4 纳米芯片技术,但由于良率不高,导致部分客户转投台积电,包括高通公司,IT之家注意到,三星电子也不得不在其 Galaxy S22 手机中使用骁龙 8 芯片,而不是自家的 Exynos 2200 芯片。
然而今年以来,三星电子在 4 纳米工艺方面取得了显著进步,良率和产能都有所提升。据三星电子在社交媒体上透露,其 4 纳米工艺的良率已经接近 5 纳米工艺的水平,并且有望进一步提高。“下一代 4 纳米工艺将提供更先进的良率。”三星电子表示。业内人士认为,这是三星电子罕见地向公众公开其芯片良率的细节,显示出其对自身技术的信心。
随着 4 纳米芯片的质量和数量的提升,三星电子也开始重新吸引客户的订单。据业内消息人士透露,美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了三星电子作为其 4 纳米处理器的合作伙伴。此外,谷歌公司也将委托三星电子生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片,采用三星电子第三代 4 纳米工艺节点。
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