三星3nm制程流片成功：性能上成功反超台积电，但晶圆代工格局难变
6月30日消息，来自外媒的报道，三星正式宣布旗下采用全环绕栅极架构（Gate-All-Around FET，GAA）的3纳米制程技术已正式流片，并称在性能上要优于竞争对手台积电。
半导体进入3nm时代
报道显示，本次三星3nm制成的流片是与新思科技合作完成的，目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法，使其在功率和性能上均实现最大化。由于三星3nm制程在技术上不同于台积电与三星，采用的GAA的结构，所以选择采用新思科技的Fusion Design Platform。
在2020年时，三星曾宣布完成了3nm技术的开发，随着本次3nm制成的成功流片，也意味着最终量产的时间会越来越近。
三星表示，采用全环绕栅极架构（Gate-All-Around FET，GAA）的3纳米制程技术性能上要优于台积电的鳍式场效应架构（FinFET）。GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。
自从英特尔在22纳米节点上首次采用FinFET架构以来，过去多年来FinFET架构一直是报道提的主流，不仅是英特尔。包括台积电等在内的半导体巨头都是采用的这一架构。
随着半导体制程由5nm迈向更加先进的制程，FinFET结构已经很难满足晶体管所需的电流驱动和静电控制能力，外界普遍认为，未来GAA架构将成为先进制程的主流。
三星在2019年的晶圆制造论坛上透露将在3nm支撑上放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术（GAA），而在2020年台积电的技术研讨会上，台积电官方也表示将在2nm节点引入全环绕栅极技术。
台积电、三星角逐3nm
本月初，三星在线上举办了2021年线上技术论坛，宣布其3纳米制程预计在2022年投入量产，届时3纳米将成为全球最先进的技术。
从时间点来看，台积电的3nm制程量产时间要早于三星。从技术上看，台积电3nm仍然是采用的FinFET架构，而三星则采用全环绕栅极技术（GAA）。作为全球唯二能做到5纳米制程以下的半导体晶圆代工厂，双方将在3nm制程上全方位竞争。
目前三星与台积电的战场主要集中在5nm，但显然无论是从营收还是客户数量上，三星几乎都是处于劣势，这与近年来双方的路线有关，三星近些年的路线演进，开始走完整迭代时的大步子，相对比较激进。
相比台积电和三星，半导体领域的另一个玩家英特尔则显得更加落寞。目前英特尔仍然受困于7nm制程的量产，5nm更是遥遥无期。不过其首席技术官麦克迈克·梅伯里博士在今年的国际VLSI会议上称，希望英特尔能在5年之内实现GAA晶体管的量产。
晶圆代工格局难变
在芯片荒席卷全球之际，整个制造业都受到了很大的影响，但对于半导体行业而言，确是另一股机遇。
本月初，台积电公布了上一个月的营收，今年5月份台积电的营收为1123.6亿新台币，折合约40.56亿美元。相比去年5月份938.19亿新台币的营收，同比增长19.8%。
目前，台积电已经开始为下一代苹果iPhone机型交付芯片，这些芯片收入将体现在6月份的营收中。台积电第二季度营收将保持平稳增长态势，并有望实现2021年销售额增长20%的目标。
整个第一季度，全球十大晶圆代工厂总营收达到了227.5亿美元，其中台积电独揽129亿美元，相比排名第二的三星41亿美元，领先优势明显。
当2022年-2023年台积电与三星的3nm都量产时，虽然双方的竞争将更加激烈，但目前半导体晶圆代工格局短时间很难改变。
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