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36氪独家 |「同光晶体」获数亿元D轮融资，第三代半导体材料市场爆发在即

晰数塔互联网快讯
2021-05-20 08:01

作者：Aaron

编辑：Lina

36氪获悉，第三代半导体材料SiC（碳化硅）单晶衬底研发、制备以及销售公司「同光晶体」于近期完成数亿元D轮的融资。本轮融资由联新资本领投，浩澜资本、北汽产业投资基金、云晖资本、梵宇资本联合投资。据了解，本轮融资将主要用于包括晶体生长设备和加工设备采购在内的产能扩充。

「同光晶体」成立于2012年5月，依托于中科院半导体所，是国内率先实现量产第三代半导体材料SiC单晶衬底的高科技企业。公司目前的产品包括4英寸、6英寸高纯半绝缘型以及导电型碳化硅单晶衬底材料。

以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，又因其禁带宽度大于2.2 eV而被称为宽禁带半导体。宽禁带的结构决定了第三代半导体材料在高温、高频、高功率的工作环境下将拥有更加优异的性能，同时兼具这些性能特点让第三代半导体材料不仅能在以传统硅基半导体为主导的存量市场会有更出色的表现，同时在一些如新能源汽车、高压快充等新兴起的领域将成为下游应用厂家无可替代的选择。

4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底，图片来源：同光晶体

同光晶体投资方、浩澜资本主管合伙人王曦告诉36氪，尽管在碳化硅领域我国暂时和与欧、美、日仍存较大差距，但中国作为第三代半导体最大的应用市场，近年来上游产业也在加速成长，特别是衬底方面与国际领先者的差距已经在缩小。

36氪获悉，同光晶体的SiC衬底主要应用在功率半导体与射频半导体领域，其中由导电型碳化硅衬底制成的功率半导体器件主要应用于电子电气领域中新能源汽车、光伏发电等方面，而由半绝缘型衬底制成的射频半导体器件将应用于5G通讯、卫星、雷达等领域。

目前，同光晶体的产品已供应至国内主要下游应用方，同时公司正与来自德国、日本的工业巨头进行产品验证、需求对接方面的合作。

在产品性能方面，同光晶体在SiC单晶衬底的位错密度控制、低应力、热场结构方面均在行业内具有显著的技术优势。其中，6英寸SiC衬底性能指标在半年内有望赶上国际先进水平。

同光晶体在2019年完成保定园区扩产，2020年实现从研发到量产的转化，产值达数亿元，且今后每年仍能保持较高增速。

同光晶体董事长兼总经理郑清超告诉36氪，目前公司已完成自主搭建200台单晶生长炉，同时为满足功率半导体器件需求，本年计划陆续投产600台生长炉，在2022年4月预计产能将达到10万片。

涞源新建工厂鸟瞰图，图片来源：同光晶体

不过，虽然SiC衬底材料与前两代半导体材料相比具备相当的性能优势，但是当前国内外半导体器件在衬底选择上仍以硅基板为主。

同光晶体与国内第三代半导体材料公司相比在产品良率、性能稳定性以及技术研发能力上具备一定优势，但在与国内SiC晶片领域的龙头公司竞争中，面临扩充产能、扩大市场等方面压力，同时公司还需面对传统功率器件领域公司以及国内车规半导体器件公司切入SiC晶片领域的竞争。

郑清超告诉36氪，当前一块SiC单晶衬底的成本较高，约为相同规格Si基板的5倍，正是该因素制约了SiC单晶衬底在下游厂商的进一步应用。

然而，随着国内第三代半导体材料的生产技术不断优化，质量品控的提升、产业链上下游的协同发展，预计在2025年SiC单晶衬底成本便会降至Si基板的2倍，届时在国内市场将迎来第三代半导体材料应用爆发期，应用市场将达到170亿元规模，其中绝大部分应用将集中在功率器件方面。

半导体业内有句俗语说，“一代材料一代器件，一代器件一代应用”，新兴材料的崛起是半导体产业发展的必然路径。郑清超告诉36氪，公司早在初创时期便意识到半导体材料的进步对下游应用有直接且深远的影响。同光晶体从2012年创建以来便决心扎根在半导体产业的最上游，通过不断打磨产品生产技术，不断扩充产能，为下游厂商提供良率更高，性能参数更优，成本更低的SiC单晶衬底材料。

6英寸N型导电型衬底，来源：同光晶体

据悉，同光晶体在科研方面与院士团队建立了紧密的联系。公司内设立院士工作站、建立博士后流动站且由院士作为导师，公司拥有联合研发中心，与院士团队合作进行课题研究。

同光晶体投资方、浩澜资本主管合伙人王曦认为，在整车高压技术和高压快充等的发展带动下，中国SiC产业应用将进一步爆发。而衬底是在SiC晶圆成品总价值量中占比最大的部分，是技术壁垒较高、未来国产化空间较强的环节，同光晶体作为国内率先实现碳化硅产业化生产的企业之一，有着扎实的技术探索和经验积累，近年来已实现了跨越性的成长，产品良率和技术指标在国内处于领先地位。

联新资本认为，受益于技术进步及5G通信、新能源汽车、光伏等下游需求行业的快速发展，第三代半导体已进入成长期，大规模商业化应用已展开。同光晶体位于第三代半导体产业链的上游材料环节，在碳化硅衬底领域，具有深厚的技术与丰富的量产经验。