突破EUV封锁 二维芯片 五年量产1nm国产芯
当全球晶圆厂扎堆冲刺2nm量产，国内却因EUV光刻机卡脖子难以突破5nm以下工艺，上海一家复旦系企业抛出全新解决方案——二维芯片路线，无需EUV即可在五年内实现1nm全国产自主可控。这真能让中国芯实现真正的弯道超车吗？
从“减法雕琢”到“加法生长”：制造逻辑的本质革命
传统硅基芯片的光刻工艺，本质是“减法制造”——用光刻机在硅晶圆上反复刻蚀、雕琢，一步步挖出晶体管的结构，过程复杂且对设备精度要求极高。
而二维半导体则完全换了思路，采用“加法制造”：让特定材料的原子在基底上自发有序生长，直接形成近乎平面的二维晶体管结构，无需高精度光刻的反复刻蚀。
这种模式带来的效率提升是颠覆性的：相比传统光刻流程，二维半导体制造环节可缩减80%，省去了离子注入、外延生长等多个复杂步骤，甚至用普通DUV光刻机就能支撑高端芯片制造。
更关键的是，二维芯片在漏电、发热控制上的表现远超传统硅基芯片，这对当下功耗飙升的AI芯片、旗舰手机芯片来说，无疑是解决性能瓶颈的新方向。这不是工艺上的小修小补，而是整个芯片制造逻辑的底层革命，就像从燃油车到电动车的赛道切换。
复旦系团队的硬核底气：从实验室到量产线的跨越
推出这条路线的原集微科技，脱胎于复旦大学微电子学院的科研团队，2025年正式成立，创始人包文中是复旦微电子的研究员、博导，长期深耕二维半导体材料研究。
早在公司成立前，包文中团队就已取得突破性成果：联合周鹏教授研发的全球首款二维芯片“无极”，集成了5900个晶体管，是当时全球晶体管数量最多的二维芯片，相关成果还登上了顶级学术期刊《自然》。
从实验室论文到量产线落地，校企结合的模式起到了关键作用。国内硬科技领域的很多突破，都离不开这种“科研+产业”的深度绑定，比如寒武纪脱胎于中科院计算所，正是这种模式让实验室成果快速转化为产品。
目前，原集微已经点亮了国内首条二维半导体工程化验证示范工艺线，这标志着二维芯片从实验室走向量产的第一步已经迈出。
五年量产1nm：看似激进的路线图藏着务实逻辑
原集微公布的路线图看似激进：2026年6月完成设备跑通，9月实现90nm工艺的小批量制造；2027年推进到28nm；2028年突破3-5nm；2030年实现1nm全国产自主可控。
但仔细分析，这个节奏其实非常务实：先从成熟的90nm工艺入手，主要是验证二维半导体制造流程的稳定性和良率，这是量产的核心基础；2027年的28nm则是切入主流应用市场的关键节点，可覆盖汽车电子、工业控制等大量需求；2028年的3-5nm则是突破高端芯片的核心，而2030年的1nm则是终极目标。
这种“从易到难、步步为营”的节奏，避免了很多硬科技项目好高骛远的问题，比如之前有些芯片项目直接冲击7nm，却因基础工艺不扎实而搁浅。
更重要的是，整个路线的所有设备都将采用国产供应链，真正实现自主可控，彻底摆脱对EUV等海外设备的依赖。
换道超车的新范式：中国芯破局不止一条路
长期以来，国内芯片产业的目光都聚焦在EUV光刻机上，认为只有突破EUV才能进入5nm以下工艺，但这种“跟跑”思路始终受制于人。
二维芯片路线的出现，为中国芯提供了另一种可能：与其在别人制定的规则里苦苦追赶，不如换一条赛道，用自己的规则重新定义高端芯片。这就像光伏行业，没有跟在海外后面追传统硅料技术，而是通过技术创新实现了全产业链的自主可控，成为全球光伏产业的领导者。
当然，二维芯片的量产也面临不少挑战：比如材料的稳定性、良率的提升、产业链的配套等，但这条路线的核心意义在于，它为中国芯的破局提供了新的思路，证明了自主可控不止一条路。
如果原集微的路线图能顺利实现，不仅能打破海外的技术封锁，还能让中国芯在全球高端芯片市场占据一席之地，真正实现从跟跑到领跑的跨越。
二维芯片路线的出现，是中国芯破局的一次重要尝试。它不是对传统工艺的修补，而是制造逻辑的革命。从实验室到量产线，从90nm到1nm，这条路线的每一步都充满挑战，但也充满希望。中国芯的未来，从来都不是只有一条路，换道超车或许才是真正的破局之道。
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