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AI将吞噬全球两成DRAM产能，一季度将再涨30%

晰数塔互联网快讯
2025-12-29 10:15

在人工智能（AI）需求持续爆发的影响下，2025年全球DRAM与NAND Flash市场持续供不应求、价格暴涨。随着即将进入2026年，业界预期一季度DRAM合约价格将至少再涨30%，其中DDR4涨幅更是将超过50%，凸显市场供需结构仍处于高度紧绷状态。2026年1月，NAND Flash价格涨幅将达10％-20%。

DDR4明年一季度价格涨幅或超50%

从DRAM市场来看，由于三大DRAM原厂计划逐步停产DDR4，并持续将产能转向利润率更高的面向AI数据中心应用的高带宽内存（HBM）和DDR5等产品，DDR4相关产品的供应极为紧缺，这也导致DDR4价格涨势尤为明显。

市场数据显示，以DDR4 8Gb（1G×8、3200）为例，2025年第四季合约价格相比第三季增长了42.9％，现货价格更大涨197％，反映DDR4供需失衡程度持续扩大。预计2026年第一季DDR4合约价格持续大涨50%达到13.5美元（2025年6月时的合约价才4.12美元左右），逐步接近现货价格。

DDR4价格之所以出现如此剧烈的上涨，一方面是由于上游原厂的供应减少；另一方面则是由于AI数据中心需求所造成的产能排挤效应，这不仅影响到了DDR4的产能，也影响到了面向消费电子市场的DDR5的产能。所以，当部分客户由于DDR4缺货积极将产品设计转向DDR5时，依然遇到了DDR5紧缺和涨价问题，迫使相关客户又不得不退回DDR4，这也加剧了DDR4价格的上涨。

随着价格大幅上扬，DDR4的获利结构亦出现明显改善。市场估算，2026年第一季DDR4 8Gb产品合约价的毛利率有望逼近50％，与HBM约60％～70％的毛利率差距明显缩小，并达到与DDR5的毛利率接近的水平。

这一变化，也促使部分部分DRAM原厂重新评估DDR4的停产（EOL）计划。最新的消息显示，三星对DDR4 停产可能将推迟到2026年底，并提高与客户签订中长期合约的意愿。传闻三星2026年第一季将与特定客户签订NCNR长期供货合约，即“不得取消或更改”的合约，以确保三星产能调度获得最大利润，且相关客户也主要是应用于服务器的订单。同样，SK海力士也将会将DDR4的停产延后至2026年。

而专注于DDR4等利基市场的存储厂商南亚科技和华邦电子则积极地启动新一波资本支出规划以扩大产能，中长期扩产金额分别达到1000亿亿元新台币和400亿新台币，但新增产能最快仍须至2027年后才会逐步开出，短期内供给难以有效缓解。

AI需求将消耗20% DRAM产能，DDR5价格将持续上涨

同样，DDR5市场供需状况也非常吃紧。由于AI服务器与高性能计算平台大量吸纳先进制程产能，留给面向消费类市场的DDR5供应比重持续下降。业界预期，2026年第一季DDR5的缺货风险甚至将高于DDR4，价格波动幅度可能进一步放大。

目前AI竞赛重心正从“训练”快速转向“推理”，而随着云端推理需求暴增，对于面向AI服务器的高速内存芯片（HBM、GDDR7）需求大涨。关键原因在于推理时需要保存大量“中间状态数据”，使单一使用者或单一AI代理的内存容量需求倍数放大。

以“100万Token”的长上下文情境为例，即便采用FP8（8-bit Floating Point）等较省容量的格式，推理过程仍可能需要约60GB高速DRAM保存中间状态；若采用FP16，需求可能翻倍到100GB以上。相较目前常见的8K Token约1GB，等同出现约60倍的增长，形成AI扩张的隐形成本。

以Google（Gemini）、AWS（Bedrock）与OpenAI（ChatGPT）等三大云端平台预计，2026年推理端的高性能DRAM需求合计约750PB，这主要由HBM与GDDR7承担。但实际落地还需备用与安全冗余，使有效的DRAM需求推升至约1.5EB。再加上Meta、Apple的私有云与中国大陆市场约800PB高速DRAM需求，及下一代模型训练所需的高速DRAM需求约500PB。据此，业绩预计，2026年云端GPU高速DRAM总需求上看3.0EB。

值得注意的是，3.0EB并不等于只消耗3.0EB的DRAM产能，高速DRAM更“消耗晶圆产能”。业界常用折算方式估计：1GB HBM约等效消耗4GB标准DRAM产能、1GB GDDR7约等效1.7GB标准DRAM产能。

以2026年全球DRAM产能约40EB推估，AI所需的高性能DRAM占比将达到接近20%；而DRAM产能同比增长仅约10%至15%，势将排挤PC、手机与传统服务器DDR5等标准型DRAM供给，缺货与价格上行压力同步升温。

在此趋势下，DRAM原厂更愿意将产能将投入HBM、GDDR7等高附加价值产品，传统DRAM（含DDR4／DDR5）产能更容易被挤压，市场也可能面临更明显的涨价压力。

明年1月NAND Flash价格将上涨超10%

虽然AI市场对于DRAM需求增长更大，但是在AI推动的Enterprise SSD（企业级SSD）需求的带动下，NAND Flash供应也持续紧绷，价格也是在持续上涨。

根据TrendForce的调查，2025年11月整体NAND Flash需求持续受AI应用与企业级SSD订单强力拉动，原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶和企业级产品，且旧制程产能快速收敛，NAND Flash晶圆供应情况更加紧绷，导致十一月主流wafer合约价全面大幅上涨，各类产品平均月涨幅可达20%至60%以上，涨势快速扩散至所有容量段。

比如，1Tb TLC 因Enterprise SSD需求持续成长，供给短缺最为严重，11月均价大幅上涨。512Gb TLC因旧制程转产导致供应急缩，加上市场需求稳健，推升其价格涨幅成为11月TLC系列产品之冠，月增超过65%。256Gb TLC受旧制程退出影响，供给量再度下滑，价格持续显著成长。由于企业级高容量产品需求爆发，加上冷储存应用出货加速，QLC供应明显吃紧，1Tb QLC十一月均价也大幅上涨。MLC产品有工控及消费性产品需求支撑，均价持续上涨。

在企业级SSD需求快速升温的带动下，NAND Flash原厂持续采取“优先供应高毛利产品”策略，涨势将自2025年底合约价开始扩散，并将于2026年初全面反映至消费级SSD与UFS行动储存产品。

市场预期，2026年1月NAND Flash价格涨幅约落在10％～20％。

编辑：芯智讯-浪客剑

发布于：广东