韩国媒体：长鑫存储正式发布 DDR5 中国存储技术与韩国差距不到一年
（来源：芯闻眼）
据外媒报道，在中国厂商长鑫存储在 IC China 正式发布最新 DDR5 和 LPDDR5X 产品后， 韩国媒体Business Korea 援引专家观点分析认为，存储芯片领域，中国与韩国的差距正在拉平之中。
Business Korea 报道称：长鑫存储的 DDR5 最高速率达 8,000Mbps、最高颗粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量 DDR5 产品，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。
韩国半导体产业人士指出，长鑫存储展示 DRAM 性能值得关注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代产品（6,400 Mbps）提升 25%，在技术路线上至少已追上韩国 DRAM 公司。长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进 CPU 的伺服器。
Business Korea 还引述日经及研调机构 Counterpoint Research 的资料称，长鑫存储第三季 DRAM 市占率达 8%，排名第四。在 NAND 部分，另一家中国厂商长江存储第三季市占率为 13%。
长鑫存储 DRAM 月产能为 27 万片，约三星（64 万片）和 SK 海力士（51 万片）的 42–53%。外界预期，长鑫存储全面量产 DDR5 与 LPDDR5X 有望降低存储器热潮的强度，但也将冲击韩国公司在中国的销售。
Business Korea 报道指出：以去年为例，韩国两间公司在中国的总销售额为 87 兆 3,000 亿韩圜（1亿韩元大约为50万人民币，即接近4300亿元人民币），约占两家公司合计总销售额的 23.7%。由于美国封锁 EUV 等关键设备出口中国，中国厂商技术发展有所受限，但与韩国在通用 DRAM 市场的技术差距约不到一年。长鑫存储内部人士表示，新产品将成为替代方案，降低对海外公司的依赖。
Business Korea 认为，随着 2030 年迎来 3D DRAM 时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM 是将存储芯片单元向上堆迭的产品，当 3D DRAM 时代来临时，对 EUV 曝光设备的需求将下降，这可能成为中国厂商超车的机会。
韩国中国经济与金融研究院院长 Jeon Byeong-seo 认为，如果五年后能商业化不需 EUV 的制程技术，目前的技术差距可能瞬间缩小。首尔大学材料科学与工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示，单看存储芯片技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。当不需要 EUV 曝光设备的 3D DRAM 时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。
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