我国自主研发光刻机交付，突破10nm工艺
本文源自:金融界
据报道，近日，我国自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已顺利通过验收并交付国内特色工艺客户。这一里程碑事件标志着我国在高端半导体装备制造领域迈出坚实步伐，成功打破国外厂商在该领域的技术垄断。
据悉，PL-SR系列设备实现了多项关键突破，可支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺。这一技术指标已超越国际巨头佳能同类产品FPA-1200NZ2C（支持14nm线宽）的水平。设备配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块，展现出强大的自主创新能力。
目前，该设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证。相比传统EUV光刻技术，纳米压印技术可降低60%的设备投资成本，并将耗电量控制在EUV技术的10%。特别在存储芯片制造领域，该技术因适合重复性图形结构而展现出独特优势，为国内存储金股讯芯片厂商突破制程瓶颈提供了新的技术路径。
发布于：北京
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