英飞凌宣布在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破
（转自：SEMI）
自英飞凌官微获悉，近日，英飞凌宣布其在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。
据悉，作为功率系统领域的领导者，英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示，英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助公司更快地为客户提供更高价值的产品，满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求，同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。
据了解，英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显著提高，因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高2.3倍。
相关推荐
英飞凌宣布在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破
英飞凌：将于四季度向客户提供首批12英寸氮化镓样品
号称“氮化镓龙头企业”，英飞凌完成收购 GaN Systems 公司
三星电子宣布启动氮化镓功率半导体代工
氮化镓也要代工了？
氮化镓技术，迎来新变局
从手机快充到汽车，氮化镓准备好了吗？
GaN，新拐点?
三星进军下一代车用半导体，后年起代工 8 英寸氮化镓功率半导体
氮化镓，再起风云
网址: 英飞凌宣布在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破 http://m.xishuta.com/newsview138487.html
