0.75NA突破芯片设计极限！Hyper-NA EUV首现ASML路线图：2030年推出，每小时产400-500片晶圆
本文源自:IT之家
全球研发机构 imec 表示阿斯麦（ASML）计划 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻机，目前仍处于开发的“早期阶段”。
阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利时安特卫普（Antwerp）召开、由 imec 举办 ITF World 活动中，表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时 400 到 500 片晶圆”。
High-NA 将数值孔径 (NA) 从早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根据 van den Brink 在 imec 活动上展示的图片，该公司将在 2030 年左右提供 Hyper-NA，达到 0.75 NA。
Imec 高级图案设计项目总监 Kurt Ronse 表示，这是 ASML 首次将 Hyper-NA EUV 加入其路线图，他与 ASML 合作开发光刻技术已有 30 多年。IT之家附上相关图片如下：
Ronse 表示现阶段想要突破 0.55 NA 面临诸多挑战，其中问题之一是光偏振。
Ronse 表示：“NA 一旦超过 0.55，由于偏振方向基本上会抵消光线，因此会破坏对比度”。
解决方案之一就是在光刻设备中加入偏振片，而这又会带来新的问题，偏振片会阻挡光线，降低能效，增加生产成本。
Hyper-NA 的另一个挑战是电阻。
Ronse 表示：“在 0.55 NA 的情况下，我们就必须降低电阻。有了 Hyper-NA，情况会更糟。这将给蚀刻选择性带来更多挑战”。
发布于：北京
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